半導體致冷器是由半導體所組成的一種冷卻設備，于1960年左右才出現，然而其理論基礎peltier effect可追溯到19世紀。這現象最早是在1821年，由一位德國科學家thomas seeback首要發現，不過他其時做了過錯的推論，并沒有領悟到背面真實的科學原理。到了1834年，一位法國表匠，一起也是兼職研討這現象的物理學家 jean peltier，才發現背面真實的原因，這個現象直到近代隨著半導體的開展才有了實踐的使用，也就是致冷器的創造（留意，這種叫致冷器，還不叫半導體 致冷器）。

由許多n型和p型半導體之顆粒相互擺放而成，而n p之間以一般的導體相連接而成一完好線路，通常是銅、鋁或其他金屬導體，最後由兩片陶瓷片像夾心餅干相同夾起來，陶瓷片有必要絕緣且導熱杰出，外觀由許多n 型和p型半導體之顆粒相互擺放而成，而n p之間以一般的導體相連接而成一完好線路，通常是銅、鋁或其他金屬導體，最后由兩片陶瓷片像夾心餅干相同夾起來，陶瓷片有必要絕緣且導熱杰出。

n型半導體。任何物質都是由原子組成，原子是由原子核和電子組成。電子以高速度繞原子核滾動，遭到原子核招引，因為遭到必定的約束，所以電子只能在 有限的軌道上工作，不能恣意脫離，而各層軌道上的電子具有不同的能量（電子勢能）。離原子核最遠軌道上的電子，常常能夠脫離原子核招引，而在原子之間運 動，叫導體。假如電子不能脫離軌道構成自由電子，故不能參加導電，叫絕緣體。半導體導電才能介于導體與絕緣體之間，叫半導體。半導體重要的特性是在必定數 量的某種雜質滲入半導體之后，不但能大大加大導電才能，并且能夠依據摻入雜質的品種和數量制造出不同性質、不同用處的半導體。將一種雜質摻入半導體后，會 放出自由電子，這種半導體稱為n型半導體。

p型半導體，是靠空穴來導電。在外電場效果下空穴活動方向和電子活動方向相反，即空穴由正板流向負極，這是p型半導體原理。

載流子現象：n型半導體中的自由電子，p型半導體中的空穴，他們都是參加導電，統稱為載流子，它是半導體所特有，是因為摻入雜質的結果。

半導體制冷資料：不僅需求n型和p型半導體特性，還要依據摻入的雜質改變半導體的溫差電動勢率，導電率和導熱率使這種特別半導體能滿意制冷的資料。 目前國內常用資料是以碲化鉍為基體的三元固溶體合金，其間p型是bi2te3sb2te3，n型是bi2te3bi2se3，選用筆直區熔法提取晶體 資料。

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